Tùng điện tử : F2012

Nhà xuất bản : POLYFET[Polyfet Devices]

Bao bì :

Pins :

Mô tả : PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE POWER VDMOS TRANSISTOR

Nhiệt độ : Min °C | Max °C

Datasheet : F2012 PDF

• F20
• F2000D
• F2000ERW
• F2001
• F2001ERW
• F2001S
• F2002
• F2002ERW
• F2002S
• F2003
• F2003ERW
• F2004
• F2004ERW
• F2005ERW
• F2006ERW